BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3-10600S 2Rx8 1333 MHz 1.5V CL9 Paměť pro notebooky

Popis produktu

Náš paměťový modul DDR3 RAM o kapacitě 4 GB s číslem výrobku BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N pracuje při napětí 1,5 V a je vyroben a testován podle nejvyšších standardů kvality.

Frekvence paměti je 1333 MHz a je zpětně kompatibilní s 1066 MHz.

Značka BRAINZAP je registrována u JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) a naše paměťové moduly jsou 100% v souladu se specifikacemi JEDEC. Paměťový modul je naprogramován podle specifikace JEDEC PC3-10600S-9. Odpovídající latence paměti je CL9.

Paměťový modul je pro maximální kompatibilitu oboustranný ( Dual-Rank 2Rx8). Paměťový modul je bez vyrovnávací paměti a bez ECC, a proto pracuje bez problémů ve většině zařízení.

Používáme pouze značkové čipy (přednostně Samsung, Micron a SK Hynix). Na všechny naše paměťové moduly získáte doživotní záruku. Další informace o záruce naleznete v dokumentu

• Nové paměti.
• Značkové čipy (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Kompatibilní s většinou notebooků s pamětí DDR3.
• Příklad obrázku: Paměťová karta s pamětí typu DDR2 je vybavena pamětí typu DDR2. Vzhled se může lišit.

Podrobnosti o produktu

• EAN: 4262360570210
• Typ paměti: DDR3 RAM
• Značka: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1333-2RX8-N
• Kompatibilní s: BRAINRAX, s. r. o: Notebooky - Intel a AMD
• Frekvence paměti: 1333 MHz
• Kapacita modulu: 4 GB
• Počet modulů: 1
• Celková kapacita: 4 GB
• Specifikace paměti: PC3-10600S-9
• Standard JEDEC: PC3-10600S
• Typ: SO DIMM 204-pin
• Nevyrovnaná paměť: ano
• ECC: ne
• Registrované: ne
• Napětí: 1,5 V
• Latence (CL): 9
• Uspořádání čipu: 2Rx8