BRAINZAP 4GB DDR3 RAM SO-DIMM PC3L-12800S-11-11-B2 1Rx8 1600 MHz 1.35V CL11 Paměť pro notebooky

Popis produktu

Náš 4GB paměťový modul DDR3 RAM s číslem výrobku BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2 pracuje při napětí 1,35 V a 1,5 V a je vyroben a testován podle nejvyšších standardů kvality.

Frekvence paměti je 1600 MHz a je zpětně kompatibilní s 1333 MHz a 1066 MHz.

Značka BRAINZAP je registrována u JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) a naše paměťové moduly jsou 100% v souladu se specifikacemi JEDEC. Paměťový modul je certifikován podle specifikací JEDEC PC3L-12800S-11-11-B2. Odpovídající latence paměti je CL11.

Paměťový modul je jednostranný ( single-rank 1Rx8). Paměťový modul je bez vyrovnávací paměti a bez ECC, a proto bez problémů pracuje ve většině zařízení.

Používáme pouze značkové čipy (přednostně Samsung, Micron a SK Hynix). Na všechny naše paměťové moduly získáte doživotní záruku. Další informace o záruce naleznete v dokumentu

• Nové paměti.
• Značkové čipy (Samsung/Hynix/Micron/Kingston)
• Kompatibilní s většinou notebooků s pamětí DDR3.
• Příklad obrázku: Paměťová karta s pamětí typu DDR2 je vybavena pamětí typu DDR2. Vzhled se může lišit.
• Kompatibilní s PC3L-12800S-11-11-B2, např.
  Micron MT8KTF51264HZ-1G6E1
  Micron MT8KTF51264HZ-1G6E2
  Samsung M471B5173BH0-YK0
  Samsung M471B5173CB0-YK0
  

Podrobnosti o produktu

• EAN: 4262360570784
• Typ paměti: DDR3 RAM
• Značka: BRAINZAP
• Modellnummer: BS-D3-4G-SO-1600-1RL-11-11-B2
• Kompatibilní s: BRAINRAX, s.r.o: Notebooky - Intel a AMD
• Frekvence paměti: 1600 MHz
• Kapacita modulu: 4 GB
• Počet modulů: 1
• Celková kapacita: 4 GB
• Speicher-Spezifikation: PC3L-12800S-11-11-B2
• Standard JEDEC: PC3L-12800S
• Typ: SO DIMM 204-pin
• Nevyrovnaný: ano
• ECC: ne
• Registrované: ne
• Napětí: 1,35 V
• Latence (CL): 11
• Zpoždění RAS až CAS (tRCD): 11
• Doba přednabití Ras (tRP): 11
• Uspořádání čipu: 1Rx8