Samsung MZ-VAP8T0 8 TB M.2 PCI Express 5.0 NVMe V-NAND TLC

Průlomový výkon PCIe® 5.0
Posuňte výkon PCIe® 5.0 na maximum. 9100 PRO dosahuje bleskové rychlosti sekvenčního čtení/zápisu až 14 800/13 400 MB/s, což je dvakrát více než 990 PRO. Nechte limity Gen4 za sebou s rychlostí náhodného čtení/zápisu až 2 200K/2 600K IOPS, kterou umožňuje pouze Gen5.

Působivý výpočetní výkon
Rychle překonávejte limity produktivity. Vzrušující rychlosti náhodného čtení/zápisu umožňují ultrarychlé paralelní zpracování nespočtu fragmentovaných dat, a to až při 2 200K/2 600K IOPS. Zažijte vynikající výstup a okamžité zatížení pro obrovské hry, vysoce výkonné úlohy a dokonce i aplikace umělé inteligence.

Rychlé vytváření umělé inteligence
Inteligence nově definuje výkon. Překonejte své limity v práci i zábavě s vestavěným počítačem s umělou inteligencí a generováním obsahu AI, poháněným vzrušujícími rychlostmi náhodného čtení/zápisu 9100 PRO až 2 200K/2 600K IOPS. Svižné načítání, plynulé hraní, bezproblémový výkon.

Výjimečný výkon na dosah ruky
Zvýšíte svou konkurenční výhodu. Svižně procházejte střihem videa, 3D uměním, a dokonce i dlouhým streamováním díky nejnovějšímu rozhraní PCIe® 5.0. Zažijte špičkový výkon kdykoli, kdekoli a na jakémkoli zařízení a vyberte si úložiště, které potřebujete, s rozsáhlou kapacitou až 8 TB.

Výjimečná tepelná účinnost
Špičkový výkon bez přerušení. Pokročilá 5nm architektura napájení řadiče zvyšuje energetickou účinnost až o 49 % oproti 990 PRO. Výjimečná tepelná kontrola zajišťuje, že nic nenaruší tok dat, takže můžete udržet v chodu i ty nejnáročnější programy s maximálním možným výkonem PCIe® 5.0.

Software Samsung Magician
Přimějte svůj SSD disk pracovat jako kouzlem. Optimalizační nástroje softwaru Samsung Magician zajišťují nejlepší výkon SSD. Jedná se o bezpečný a snadný způsob migrace všech vašich dat pro upgrade SSD disku Samsung. Chraňte cenná data, sledujte stav disku a získejte nejnovější aktualizace firmwaru.

Přinášíme inovace
Po desetiletí poháněla paměť NAND flash společnosti Samsung převratné technologie, které změnily každou část našeho každodenního života. Tato technologie NAND flash pohání i naše spotřebitelské SSD disky a vytváří tak prostor pro další velký nápor inovací.

Výkon PCIe® 5.0
Max. sekvenční rychlosti 14 800/13 400 MB/s, dvakrát vyšší než 990 PRO.

Zvýšíte svou herní kapacitu
Megakapacita s výjimečnou kompatibilitou.

Inovativní řízení spotřeby a teploty
Až o 49 % vyšší energetická účinnost s pokročilým řízením teploty.

Samsung MZ-VAP8T0. Kapacita disku SSD: 8 TB, provedení SSD: M.2, rychlost čtení: 14800 MB/s, rychlost zápisu: 13400 MB/s, součást pro: PC/Laptop

Informace o tomto článku

• Next Level Drive: PCIe 5.0 NVMe SSD pro high-endové hraní na PC, 4K video a 3D zpracování, generování obsahu AI a další, až 2x rychlejší než 990 PRO
• Ohromující rychlost díky PCIe 5.0: Sekvenční rychlosti čtení/zápisu až 14 800 MB/s nebo 13 400 MB/s, náhodné operace čtení/zápisu až 2 200K/2 600K IOPS¹ ² ³
• Inovativní řízení výkonu a tepla: Pokročilá 5nm architektura napájení řadiče pro až o 49 % lepší energetickou účinnost ve srovnání s 990 PRO⁴, působivé řízení tepla
• Úložná kapacita až 8 TB v kompaktním formátu M.2 (2280), výkon na nové úrovni pro výkonné (herní) počítače a notebooky/ultrabooky
• Snadná správa disku: S uživatelsky přívětivým softwarem Samsung Magician pro aktualizace disku a optimalizaci výkonu⁵
• Obsah balení: 1 x Samsung 9100 PRO NVMe M.2 SSD, kapacita úložiště: 8 TB, MZ-VAP8T0BW

Kapacita disku SSD:

8 TB

Formát SSD:

M.2

Rozhraní:

PCI Express 5.0

NVMe:

Ano

Typ paměti:

V-NAND TLC

Komponent pro:

PC/herní konzole

Hardwarové šifrovaní:

Ano

Verze NVMe:

2.0

Šifrování/zabezpečení:

256-bit AES

Velikost disku M.2 SSD:

2280 (22 x 80 mm)

Rychlost čtení:

14800 MB/s

Rychlost zápisu:

13400 MB/s

Náhodné čtení (4 KB):

2200000 IOPS

Náhodný zápis (4 KB):

2600000 IOPS

Počet linek rozhraní PCI Express:

x4

Podpora DevSlp (spánek zařízení):

Ano

Podpora technologie SMART:

Ano

Podpora TRIM:

Ano

Střední doba mezi poruchami (MTBF):

1500000 h

Provozní napětí:

3,3 V

Spotřeba energie (čtení):

10,5 W

Spotřeba energie (psaní):

8,8 W

Spotřeba energie (v klidu):

0,009 W

Spotřeba energie při DevSlp (režim spánku zařízení):

8,6 mW

Šířka:

80,2 mm

Hloubka:

3,88 mm

Výška:

80,2 mm

Typ balení:

Krabice

Provozní rozsah teplot (T-T):

0 - 70 °C

Náraz při provozu:

1500 G

5 rok/roky