Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

Velkolepá rychlost každý den
Rychleji zvládejte úkoly. 990 EVO Plus s nejnovější pamětí NAND nabízí zvýšenou rychlost sekvenčního čtení/zápisu až 7 250/6 300 MB/s. Obrovské soubory, okamžitý přenos.

Zachovejte chladnou hlavu a výkon v průběhu celého dne
Optimalizovaná efektivita, rozšířený výkon. Řadič s niklovým povrchem zvyšuje MB/s na watt o 73 % ve srovnání s 990 EVO a dosahuje stejné úrovně výkonu a tepelné regulace při nižší spotřebě energie. Soustřeďte se na práci nebo zábavu bez obav o přehřívání nebo výdrž baterie.

Více místa. Extra rychlost.
Využijte plný výkon disku díky vylepšené technologii Intelligent TurboWrite 2.0. Rychleji zpracovávejte obrovská data a rychleji procházejte náročnou grafikou díky zvětšené oblasti TurboWrite, která je nyní k dispozici v kapacitě 4 TB.

Software Samsung Magician
Přimějte svůj SSD disk pracovat jako kouzlo. Optimalizační nástroje softwaru Samsung Magician zajišťují nejlepší výkon SSD. Jedná se o bezpečný a snadný způsob migrace všech vašich dat pro upgrade SSD disku Samsung. Chraňte cenná data, sledujte stav disku a získejte nejnovější aktualizace firmwaru.

Přinášíme inovace
Po desetiletí poháněla paměť NAND flash společnosti Samsung převratné technologie, které změnily každou část našeho každodenního života. Tato technologie NAND flash pohání i naše spotřebitelské SSD disky a vytváří tak prostor pro další velký nápor inovací.

Výkon
Dosahuje rychlosti sekvenčního čtení až 7 250 MB/s, což je o 45 % vyšší rychlost než u předchozího modelu 990 EVO.

Efektivita napájení
Efektivita napájení zvýšená o 73 % oproti modelu 990 EVO pro více MB/s na watt při zachování výkonu a tepelné kontroly.

Všestrannost
Kapacita až 4 TB a rychlý inteligentní zápis Intelligent TurboWrite 2.0.Samsung MZ-V9S1T0. Kapacita disku SSD: 1 TB, provedení SSD: 1 TB: M.2, rychlost čtení: 7150 MB/s, rychlost zápisu: 6300 MB/s, součást pro:

Úžasná rychlost - každý den
Řešte úkoly rychlostí blesku. 990 EVO Plus s nejnovější pamětí NAND nabízí optimalizovanou rychlost sekvenčního čtení/zápisu až 7 250/6 300 MB/s. Obrovské soubory, okamžitý přenos.

Zabraňte tomu, abyste se vy i váš SSD disk dostali do červené zóny.
Optimalizovaná efektivita - zvýšený výkon. Niklovaný ovladač zvyšuje MB/s na watt o 73 %, čímž dosahuje stejné úrovně výkonu a tepelné správy při nižší spotřebě energie. Zůstaňte soustředění, ať už pracujete nebo hrajete - bez obav o přehřátí nebo výdrž baterie.

Extra prostor. Extra rychlost
Získejte z disku maximum díky vylepšenému systému Intelligent TurboWrite 2.0. Rychleji zpracovávejte velké objemy dat a snadno a elegantně procházejte náročnou grafikou díky rozšířené oblasti TurboWrite, která je nyní k dispozici s kapacitou 4 TB.

Klíčové výhody:
- Produktivita: rychlost sekvenčního čtení až 7 250 MB/s - o 45 % rychlejší než 990 EVO
- Energetická účinnost: Energetická účinnost se zvýšila o 73 % pro více MB/s na watt-rok při zachování výkonu a tepelné správy.
- Všestrannost : Zvýšená kapacita až 4 TB a rychlý zápis IntelligentTurboWrite 2.0 s rozšířenou oblastí TurboWrite.

Parametry a specifikace:
Kapacita 1000 GB
M. 2 (2280)
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0
Software: Software pro správu SSD Magician

Vyrovnávací paměť: HMB(Host Memory Buffer)
Vnitřní paměť: HMB: Samsung V-NAND TLC

Sekvenční rychlost:
- 7 150 MB/s při čtení
- Zápis: 6 300 MB/s

Maximální počet náhodných I/O operací čtení a zápisu za sekundu:
- Čtení: 850 000 IOPS (4 kB, QD32)
- Zápis: 1 350 000 IOPS ((4 kB, QD32)

Spolehlivost (MTBF): spolehlivost 1,5 milionu hodin (MTBF)

Ostatní: V případě potřeby je možné využít i další funkce, jako je např:
- TRIM
- S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection) - automatický
- 256bitové šifrování AES (třída 0)TCG/Opal IEEE1667 (šifrovaný disk)
- Podpora režimu spánku zařízení
- Inteligentní zápis Turbowrite 2.0

Rozměry: 80,15 x max. 22,15 x max. 2,38 mm
Hmotnost: 9 g

Kapacita disku SSD:

1 TB

Formát SSD:

M.2

Rozhraní:

PCI Express 4.0

NVMe:

Ano

Typ paměti:

V-NAND TLC

Komponent pro:

PC

Hardwarové šifrovaní:

Ano

Verze NVMe:

2.0

Šifrování/zabezpečení:

256-bit AES

Velikost disku M.2 SSD:

2280 (22 x 80 mm)

Rychlost čtení:

7150 MB/s

Rychlost zápisu:

6300 MB/s

Náhodné čtení (4 KB):

850000 IOPS

Náhodný zápis (4 KB):

1350000 IOPS

Podpora DevSlp (spánek zařízení):

Ano

Podpora technologie SMART:

Ano

Podpora TRIM:

Ano

Střední doba mezi poruchami (MTBF):

1500000 h

Provozní napětí:

3,3 V

Spotřeba energie (čtení):

4,3 W

Spotřeba energie (psaní):

4,2 W

Průměrný příkon (čtení):

4,3 W

Průměrný příkon (zápis):

4,2 W

Spotřeba energie (v klidu):

0,06 W

Spotřeba energie při DevSlp (režim spánku zařízení):

5 mW

Šířka:

80,2 mm

Hloubka:

2,38 mm

Výška:

80,2 mm

Hmotnost:

9 g

Šířka balení:

145 mm

Hloubka balení:

100 mm

Výška balení:

24 mm

Hmotnost včetně balení:

68 g

Provozní rozsah teplot (T-T):

0 - 70 °C

Náraz při provozu:

1500 G

Funkce

• Velikost M.2 SSD:2280 (22 x 80 mm)
• Podpora TRIM:Ano
• Náhodný zápis (4KB):1350000 IOPS
• Typ paměti:V-NAND TLC
  • NVMe: šifrování:Ano
  • Náhodné čtení (4KB):850000 IOPS
  • Formát SSD:M.2
  • Rozhraní:PCI Express 4.0
  • Podpora SMART:Ano
  • Verze NVMe:2.0
• Průměrná doba mezi poruchami (rychlost 0W00li><030):050W00li h035 MB/s
• Komponenta pro:PC
• Bezpečnostní algoritmy:256bitové AES
• Rychlost čtení:7150 MB/s
• Kapacita SSD: 1 TB

Provozní podmínky

• Provozní teplota - 7 °TT (We): & rozměry
  
  
  • Šířka:80,2 mm
  • Výška:22,1 mm
  • Hloubka:2,38 mm
  • Hmotnost: 9 g
  
  

KAPACITA 1 TB
FORMÁT M2 2280
ROZHRANÍ PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 1.4
ČTENÍ 7150 Mb/s
ZÁPIS 6300 Mb/s
Spolehlivost (MTBF): 1 500 000 hodin

Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

SAMSUNG
Interní pevný disk M.2 SSD
990 EVO Plus NVMe™ M.2 SSD - 1 TB
Pevný disk M.2 SSD
Kapacita úložiště 1 TB
Rozhraní: PCI Express 4.0
Rychlost čtení 7150 MB/s, rychlost zápisu 6300 MB/s

Samsung SSD | 990 EVO Plus | 1000 GB | Formát SSD M.2 2280 | Rozhraní SSD NVMe | Rychlost čtení 7250 MB/s | Rychlost zápisu 6300 MB/s Technické detaily:
Výrobce - Samsung

• Vlastnosti balení / Hrubá hloubka (mm): 90,00 mm
• Vlastnosti balení / Hrubá výška (mm): 10,00 mm
• Vlastnosti balení / Hrubá šířka (mm): 30,00 mm
• Vlastnosti balení / Množství v balení: 1,00 ks.
• Vlastnosti balení / Papír/lepenka: 00,00 mm: 22.00 g
• Vlastnosti balení / Plast (bez PET): 8.00 g
• Vlastnosti balení / hmotnost táry (kg): 0,03 kg
• Vlastnosti balení / Objem (m3): 0.00 m³
• Vlastnosti balení / Naplněná baterie: Ne
• Vlastnosti balení / Daň z OEEZ: CL109:6:2017-04-01
• Package features / Palette Qty: (v balení): 1,5 kg 25641 ks.
• Technické údaje / Hrubá hmotnost: 0,04 kg
• Technické údaje / Čistá hmotnost: 0,01 kg
• Technické údaje / Výrobce: Samsung
• Technické detaily / Název produktu výrobce: 990 EVO Plus
• Technické detaily / Skupina výrobků výrobce: SSD
• Pracovní / Kapacita paměti SSD: 1000 GB
• Pracovní / Rychlost zápisu na média: rychlost zápisu na média: 6300 MB/s
• Rychlost práce / čtení z média: 7250 MB/s
• Provozní / SSD paměťové rozhraní: NVMe
• Provedení / velikost pozice SSD: M.2 2280
• Záruky: 60 měsíců

Specifikace výrobku:

• Kapacita: 1 TB
• Velikost: M.2
• Rozhraní: PCI Express 4.0

Číslo výrobce: MZ-V9S1T0BW

Krátké informace: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - šifrovaný - 1 TB - interní - M.2 2280 - PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0 Group Pevné disky Výrobce Samsung Výrobce Art. MZ-V9S1T0BW EAN/UPC 8806095575674 Popis produktu: Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S1T0 - SSD - 1 TB - PCIe 5.0 x2 (NVMe) Typ Solid State Drive - interní Kapacita 1 TB Hardwarové šifrování Ano Šifrovací algoritmus 256bitový AES Typ paměti NAND flash TLC (Triple-Level Cell) Formátovací faktor M.2 2280 Rozhraní PCIe 5.0 x2 (NVMe) Funkce Technologie Intelligent TurboWrite, technologie Samsung V-NAND TLC, podpora režimu spánku zařízení, vyrovnávací paměť hostitele (HMB), podpora TRIM, algoritmus automatického vybírání odpadu, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Rozměry (šířka x hloubka x výška) 22,15 mm x 80,15 mm x 2,38 mm Hmotnost 9 g Vysvětlující údaje Obecné Typ zařízení Solid State Drive - interní Kapacita 1 TB Hardwarové šifrování Ano Šifrovací algoritmus 256bitový AES Typ paměti NAND flash TLC (Triple-Level Cell) Formátovací faktor M.2 2280 Rozhraní PCIe 5.0 x2 (NVMe) Funkce Technologie Intelligent TurboWrite, technologie Samsung V-NAND TLC, podpora režimu spánku zařízení, vyrovnávací paměť hostitelské paměti (HMB), podpora TRIM, algoritmus automatického odstraňování odpadu, S.M.A.R.T., IEEE 1667 Šířka 22,15 mm Hloubka 80,15 mm Výška 2,38 mm Hmotnost 9 g Výkon Interní datová propustnost 7150 MB/s (čtení)/6300 MB/s (zápis) Maximální 4 KB náhodný zápis 1350000 IOPS Maximální 4 KB náhodné čtení 850000 IOPS Spolehlivost MTBF 1500000 hodin Rozšíření a konektivita Kompatibilní pozice M.2 2280 Napájení Spotřeba energie 4,3 Watt (čtení) 4,2 Watt (zápis) 60 mW (pohotovostní režim) 5 mW (režim spánku) Požadavky na software a systém Dodávaný software Samsung Magician Software Různé Materiál pouzdra Niklová povrchová úprava Podmínky prostředí Min. provozní teplota 0 °C Max. provozní teplota 70 °C Odolnost proti nárazům Provozní teplota 70 °C Tolerance nárazu (mimo provoz) 1500 g @ 0,5 ms Tolerance vibrací (mimo provoz) 20 g @ 20-2000 Hz

1TB Samsung M. 2 PCI-E NVMe Gen4 990 EVO Plus Retail - Vysoce výkonný SSD disk s kapacitou 1 TB od společnosti Samsung ve formátu M. 2, který podporuje PCI-E NVMe Gen4 pro maximální rychlost.

Rychlejší plnění úkolů. 990 EVO Plus s nejnovější pamětí NAND nabízí vyšší rychlost sekvenčního čtení/zápisu až 7150/6300 MB/s. Obrovské soubory se přenášejí okamžitě. Vlastnosti Svěží výkon po celou dobu životnosti....

Samsung 990 EVO Plus SSD 1TB M.2 PCIe Gen4/Gen5 NVMe Interní SSD modul